Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (14)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Гниздыло А$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
1.

Шаповалов В. А. 
Плавильно-разливочный ковш с индукционным нагревом [Електронний ресурс] / В. А. Шаповалов, Ф. К. Биктагиров, А. П. Игнатов, В. И. Колесниченко, О. В. Карускевич, Ю. А. Никитенко, В. В. Якуша, А. В. Гнатушенко, А. Н. Гниздыло // Современная электрометаллургия. - 2010. - № 1. - С. 37-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sovele_2010_1_8
Приведены результаты разработки переносного плавильно-разливочного модуля. Показана принципиальная возможность создания агрегатов ковш-печь с индукционным нагревом для плавки, обработки и транспортировки жидкой стали.
Попередній перегляд:   Завантажити - 769.208 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Шаповалов В. А. 
Влияние перемещения плазменного источника нагрева на формирование структуры плоских монокристаллов вольфрама [Електронний ресурс] / В. А. Шаповалов, В. В. Якуша, А. Н. Гниздыло, А. Р. Смалюх, Д. В. Ботвинко // Современная электрометаллургия. - 2011. - № 2. - С. 26-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sovele_2011_2_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 731.528 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Шаповалов В. А. 
Особенности криталлизационного рафинирования в процессе выращивания плоских монокристаллов тугоплавких металлов при плазменно-индукционной плавке [Електронний ресурс] / В. А. Шаповалов, А. Н. Гниздыло, В. В. Якуша, Ю. А. Никитенко, Д. М. Жиров, А. В. Гнатушенко, Е. А. Волченков // Современная электрометаллургия. - 2012. - № 2. - С. 34-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sovele_2012_2_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 756.318 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Шаповалов В. А. 
Технологические особенности плазменно-индукционного выращивания крупных монокристаллов вольфрама [Електронний ресурс] / В. А. Шаповалов, В. В. Якуша, А. Н. Гниздыло, Ю. А. Никитенко // Современная электрометаллургия. - 2012. - № 3. - С. 26-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sovele_2012_3_6
Рассмотрено влияние технологических параметров на условия формирования монокристаллов. Предложено использование крупных профилированных монокристаллов вольфрама в качестве исходных заготовок для широкоформатного проката. Показано преимущество технологической цепочки получения листового проката из монокристаллов вольфрама перед традиционной.
Попередній перегляд:   Завантажити - 737.578 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Шаповалов В. А. 
Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом [Електронний ресурс] / В. А. Шаповалов, В. В. Якуша, Ю. А. Никитенко, В. В. Долиненко, А. Н. Гниздыло, В. В. Жолудь // Современная электрометаллургия. - 2014. - № 3. - С. 31-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sovele_2014_3_6
Рассмотрен вопрос экспериментального исследования температурного поля в профилированном монокристалле вольфрама при плазменно-индукционном способе выращивания. На основании данных прямых измерений температур в кристалле с помощью термопар ВР 5/20 выполнен анализ температурных градиентов в его объеме. Показано, что при данном способе выращивание монокристалла проходит в условиях практически плоского фронта кристаллизации, и термонапряженное состояние профилированного кристалла в основном определяется значением градиентов температур вдоль его ширины и высоты. Установлено, что максимальное значение температурных градиентов составляет соответственно 36 и <$E90~symbol Р>C/мм, а зона их максимума сосредоточена вблизи фронта кристаллизации. Выявлено, что индукционный нагрев боковой поверхности монокристалла способствует уменьшению уровня температурных градиентов в его объеме. На расстоянии двух толщин кристалла от его верхнего торца формирование структуры монокристалла в твердой фазе происходит при постоянном градиенте температур. Выполнен сравнительный анализ пространственного распределения градиентов температур монокристаллов плазменно-дугового и плазменно-индукционного способов плавки. Экспериментально подтверждено, что плазменно-индукционный процесс формирования крупного профилированного монокристалла сопровождается меньшими (на <$E 10~-~15~symbol Р>C/мм) значениями градиентов температур в большей части его объема по сравнению с плазменно-дуговым процессом формирования цилиндрического кристалла диаметром 30 мм.
Попередній перегляд:   Завантажити - 639.424 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Гниздыло А. Н. 
Перспективы и совершенствование плазменно-индукционной технологии выращивания монокристаллов тугоплавких металлов [Електронний ресурс] / А. Н. Гниздыло // Современная электрометаллургия. - 2015. - № 3. - С. 16-22. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sovele_2015_3_4
Отмечено, что монокристаллам тугоплавких металлов присущ комплекс уникальных свойств. Однако на сегодняшний день существует лишь незначительное количество технологических процессов, где используют указанные материалы. Основная причина этого заключается в относительно небольших габаритных размерах монокристаллов и их высокой себестоимости. Поэтому актуальной задачей является разработка технологий, позволяющих не только увеличивать габаритные размеры тугоплавких монокристаллов, но и обеспечивать возможность получения их с разной геометрией профиля, при этом достигать высокой производительности и экономической эффективности. Рассмотрены проблемы увеличения крупных монокристаллов тугоплавких металлов. Обоснована возможность перспективного использования технологии плазменно-индукционной плавки для увеличения габаритных размеров тугоплавких монокристаллов. Разработаны рекомендации, позволяющие дальнейшее совершенствование плазменно-индукционной технологии.
Попередній перегляд:   Завантажити - 791.983 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Шаповалов В. А. 
Применение аддитивных технологий для выращивания крупных профилированных монокристаллов вольфрама и молибдена [Електронний ресурс] / В. А. Шаповалов, В. В. Якуша, А. Н. Гниздыло, Ю. А. Никитенко // Автоматическая сварка. - 2016. - № 5-6. - С. 145-147. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/as_2016_5-6_24
Рассмотрено использование аддитивных сварочных технологий применительно к выращиванию супербольших монокристаллов тугоплавких металлов. Проанализированы основные методы получения монокристаллов вольфрама и молибдена из жидкой фазы. Показана перспективность плазменно-индукционной технологии для выращивания крупных плоских монокристаллов вольфрама и молибдена. Описана технологическая схема аддитивного выращивания плоских монокристаллов тугоплавких металлов с применением плазменно-индукционного способа. Установлено, что разработанный способ предоставляет возможность гибкого управления тепловым полем выращиваемого монокристалла. Использование локальной расплавленной зоны, формируемой плазменной дугой небольшой мощности, с параметрами, характерными для сварочных процессов, позволяет выращивать крупные монокристаллы вольфрама размером 210х180х20 мм. Кристаллы формируются в условиях нагрева высокочастотным полем индуктора до температур, характерных для диапазона горячей деформации. Приведены результаты исследований структурного совершенства выращиваемых кристаллов, которые подтверждают тот факт, что условия формирования монокристаллов при плазменно-индукционной зонной плавке обеспечивают качество монокристаллической структуры более высокое, чем способы, в которых не используется дополнительный подогрев (электронно-лучевой и плазменно-дуговой). Выявлено, что для плазменно-индукционного процесса характерно образование регулярных дислокационных структур, для которых свойственно объединение дислокаций в малоугловые границы.
Попередній перегляд:   Завантажити - 851.832 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Гниздыло А. Н. 
Математическая модель плазменно-индукционного процесса выращивания монокристаллов тугоплавких металлов [Електронний ресурс] / А. Н. Гниздыло, В. В. Якуша, В. А. Шаповалов, О. В. Карускевич, Ю. А. Никитенко, Н. В. Козуб // Современная электрометаллургия. - 2018. - № 1. - С. 28-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sovele_2018_1_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.079 Mb    Зміст випуску     Цитування
9.

Патон Б. Е. 
Структура крупных профилированных монокристаллов вольфрама, полученных аддитивным плазменно-индукционным наплавлением [Електронний ресурс] / Б. Е. Патон, Г. М. Григоренко, Л. И. Маркашова, В. А. Шаповалов, Е. Н. Бердникова, Е. В. Половецкий, В. В. Якуша, А. Н. Гниздыло // Современная электрометаллургия. - 2018. - № 4. - С. 42-51. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sovele_2018_4_4
Изучена структура крупного профилированного монокристаллического вольфрамового слитка, полученного способом аддитивного плазменно-индукционного послойного выращивания на монокристаллическую затравку при различных скоростях процесса (17 - 70 мм/мин). Исследования (микротвердости, размеров субзеренной структуры, углов разориентировки субзерен, характера распределения дислокаций и др.) проводили на всех структурных уровнях с применением комплекса экспериментальных методов современного физического материаловедения, включая световую, растровую и просвечивающую микродифракционную электронную микроскопию. Показано, что слиток представляет собой монокристаллическое тело с кристаллографической ориентацией, заданной затравочным кристаллом. Увеличение скорости выращивания до 70 мм/мин приводит к незначительному уменьшению микротвердости, измельчению субструктуры при равномерном распределении плотности дислокаций, что позволяет получать монокристаллы вольфрама с совершенной монокристаллической структурой (с малоугловыми границами) при углах разориентировки не превышающих 3<^>o.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.518 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського